特許
J-GLOBAL ID：200903000622016376

外部アドレスにより自動リフレッシュ動作が行えるテストモードを有する同期式DRAM及び自動リフレッシュ方法

発明者：
李 萬中

李 萬中 について

, 
崔 萬植

崔 萬植 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357398
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 テストモードの自動リフレッシュ動作時に、メインセル及び予備セルがいずれもリフレッシュできる同期式DRAM及びこの自動リフレッシュ方法を提供する。【解決手段】 モードレジスターセット回路は、テストモードの自動リフレッシュ動作時に、複数個の制御信号に応答して外部から印加される信号を受け取りモードレジスターセット信号を発生させる。アドレス選択器は、前記テストモードの自動リフレッシュ動作時には前記モードレジスターセット信号の活性化に応答して外部から印加される外部アドレスを選択してメモリセルアレイに出力する。したがって、前記テストモードの自動リフレッシュ動作時にはメインセル及び予備セルが順次リフレッシュされる。
請求項（抜粋）：
メインセル及び予備セルを含むメモリセルアレイと、リフレッシュ信号に応答して自動で内部アドレスを発生させる内部アドレスカウンターと、テストモードの自動リフレッシュ動作時に、複数個の制御信号に応答して外部から印加される信号を受け取りモードレジスターセット信号を発生させるモードレジスターセット回路と、前記モードレジスターセット信号に応答して、外部から印加される外部アドレス及び前記内部アドレスを選択的に前記メモリーセルアレイに出力するアドレス選択器とを具備し、前記テストモードの自動リフレッシュ動作時には、前記アドレス選択器により前記外部アドレスが選択され前記メインセル及び前記予備セルが順次アクセスされて自動リフレッシュされることを特徴とする同期式DRAM。
IPC (6件)：
G11C 29/00 671 ,  G11C 29/00 603 ,  G06F 12/00 550 ,  G06F 12/16 330 ,  G11C 11/406 ,  G11C 11/401
FI (6件)：
G11C 29/00 671 S ,  G11C 29/00 603 P ,  G06F 12/00 550 B ,  G06F 12/16 330 A ,  G11C 11/34 363 Z ,  G11C 11/34 371 A
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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