特許
J-GLOBAL ID：200903031679586503
微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186198
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031662
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】ホトレジストパターン(マスクパターン)を有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、さらにデバイスの汚染の原因となり得るパーティクルの発生を防止した、微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】ホトレジストパターンを有する基板上にパターン微細化用被覆形成剤を被覆する工程、基板の端縁部および/または裏面部に付着した不要な被覆形成剤を除去する工程、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ホトレジストパターンを有する基板上にパターン微細化用被覆形成剤を被覆する工程、基板の端縁部および/または裏面部に付着した不要な被覆形成剤を除去する工程、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 570
, G03F7/40 511
2H096AA25
, 2H096HA05
, 5F046LA18
