特許
J-GLOBAL ID：200903000998358197
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-245933
公開番号（公開出願番号）：特開2008-065266
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザー、電子線、X線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエッジラフネス、パターン形状、感度、溶解コントラスト、コントラスト、露光時のアウトガス、PEB温度依存性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するポリマー、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、特定のスルホニウム塩を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するポリマー及び
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記一般式(BI)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/033
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
G03F7/033
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB41
, 2H025CB51
, 2H025CC20
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示
前のページに戻る
