半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263984
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080955
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜とシリサイドゲート電極の組み合わせ技術におけるしきい値制御の問題を解決し、高性能で信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板上に、ゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、高誘電率絶縁膜(例えばHfSiON膜)を含むゲート絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜に接するように下層側に設けられた、第1の金属M1(例えばNi)、M1と異なる仕事関数をもつ第2の金属M2(例えばW)およびシリコン(Si)を含むシリサイドからなる第1の層領域と、第1の層領域に接する上層側に設けられたM1(例えばNi)およびSiを含むシリサイドからなる第2の層領域とを有するゲート電極を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が、金属酸化物、金属シリケート、又は窒素が導入された金属酸化物もしくは金属シリケートからなる高誘電率絶縁膜を有し、前記ゲート電極が、前記高誘電率絶縁膜に接する下層側に設けられた、第1の金属M1、M1と異なる仕事関数をもつ第2の金属M2およびシリコン(Si)を含むシリサイドからなる第1の層領域と、第1の層領域に接する上層側に設けられた、M1およびSiを含むシリサイドからなる第2の層領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/336 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 102C , H01L29/78 301P , H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/28 301S

Fターム (79件)：

4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048DA25 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF09 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF30 , 5F140BF33 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG20 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG35 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE06 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-400581 出願人：株式会社東芝
シリサイド化された電極を有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-301647 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
CMOSデバイスの自己形成金属シリサイド化ゲート
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-551329 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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