特許

J-GLOBAL ID：200903008171860365

半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置

発明者： 辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  鈴木 政勝 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125786
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037338
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。【解決手段】 多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物族窒化物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、複数の障壁層と各障壁層よりも狭い禁制帯幅を持つ井戸層とが交互に積層されてなる量子井戸層と、前記基板上に前記量子井戸層を上下方向から挟むように形成されたp型伝導層及びn型伝導層とを備え、前記複数の障壁層のうち、前記p型伝導層と隣接する一の障壁層はアルミニウムを含み、前記p型伝導層と隣接しない他の障壁層はアルミニウムを含まないことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 Z

Fターム (30件)：

5D119AA02 ,  5D119AA38 ,  5D119AA40 ,  5D119CA10 ,  5D119FA17 ,  5D119JA57 ,  5D119KA02 ,  5D119KA04 ,  5D119LB05 ,  5D119LB07 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB15 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-149183   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098633   出願人：シャープ株式会社
• GaN系発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311441   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団
• 半導体発光素子及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006679   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体光発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213412   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045233   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050774   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系化合物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-115268   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• J.J.A.P., 1998, Vol.37,Part2,No.4B, pp.L444-L446
• J.J.A.P., 1997, Vol.36,Part2,No.12A, pp.L1568-L1571