特許
J-GLOBAL ID：200903001203621924
半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-269870
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179861
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 基板の上にバッファ層を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、導電性不純物の混入によりバッファ層の中に導電層が形成されるのを防止し、高い特性を有する半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたHEMTを含むFETを提供する。【解決手段】 半導体エピタキシャルウェハ300は、サファイアからなる基板310の上に、下から順に厚さ25nmのアンドープAlNからなる第1のAlNバッファ層321、厚さ50nmのアンドープGaNからなる第1のGaNバッファ層322、厚さが300nmのアンドープAlNからなる第2のAlNバッファ層323、厚さ1500nmのアンドープGaNからなる第2のGaNバッファ層324により構成されるバッファ層320が形成された構造を有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板の上にバッファ層を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、
前記バッファ層は、第1のGaNバッファ層、AlNバッファ層、窒化ガリウム系バッファ層が順に前記基板上に形成された構造からなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GR04
, 5F102HC01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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