特許
J-GLOBAL ID：200903001440787870
CIS系化合物半導体薄膜太陽電池及び該太陽電池の光吸収層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232238
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049768
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 低温製膜で変換効率及び生産性を向上し、基板材料の選択範囲の拡大する。【解決手段】 CIS系化合物半導体薄膜太陽電池の光吸収層及びその製造方法に関し、Cux (In1-y Gay )(Se1-z Sz )2 からなる化合物でカルコパイライト型の構造で、組成比が、0.86≦x≦0.98、0.05≦y≦0.25、0≦z≦0.3で、且つ、x=αT+βで、α=0.015y-0.00025、β=-7.9y+1.105、但しT(°C)は焼成温度、xの許容範囲は±0.02である。セレン化法により、低温(略500≦T≦550)で製膜する。基板は低融点のソーダライムガラスを使用。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、金属裏面電極、光吸収層、界面層(バッフアー層)、窓層及び上部電極が順次積層された積層構造のCIS系化合物半導体薄膜太陽電池であって、
前記光吸収層は、Cux (In1-y Gay )(Se1-z Sz )2 からなる化合物でカルコパイライト型の構造を有し、且つ、その組成比が、0.86≦x≦0.98、0.05≦y≦0.25、0≦z≦0.3であることを特徴とするCIS系化合物半導体薄膜太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F051AA10
, 5F051CB13
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051GA03
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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