特許
J-GLOBAL ID：200903001467955480

n型窒化物半導体用のオーミック電極およびその製造方法

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
城市 隆秀

城市 隆秀 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238811
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059933
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】Al(またはAl合金)層、バリア金属層、Au層を含む積層構造とされるオーミック電極に対して、好ましいオーミック接触性を維持しながらも、電極の表面状態を改善すること。【解決手段】n型窒化物半導体2の表面2aに形成されたオーミック電極1である。当該電極1は、n型窒化物半導体2に近い側から順に、Alおよび/またはAl合金を有してなる厚さ1nm〜70nmの第一層11と、Pd、Ti、Nb、MoおよびWから選ばれる1以上の金属からなる第二層12と、Auを有してなる第三層13とを有する積層体として構成され、かつ、オーミック接触性をより発現させるための熱処理が施されたものである。第一層の厚さの限定によって、オーミック接触性、表面状態が好ましいものとなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体の表面に形成されたオーミック電極であって、当該電極は、 n型窒化物半導体に近い側から順に、Alおよび/またはAl合金を有してなる厚さ10nm〜70nmの第一層と、Pd、Ti、Nb、MoおよびWから選ばれる1以上の金属からなる第二層と、Auを有してなる第三層とを有する積層体として構成され、かつ、 n型窒化物半導体の表面に形成された状態で、該半導体との接触抵抗を低減させるための熱処理が施されたものであることを特徴とする、n型窒化物半導体用のオーミック電極。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (4件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301B
Fターム (24件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB07 ,  4M104BB10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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