特許
J-GLOBAL ID：200903001611888599
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176954
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のデータ保持特性を向上させる。【解決手段】 半導体記憶装置10は、記憶素子18と保護ダイオード20とを有している。記憶素子18は、p型ウエル14の上部に順次積層したトンネル酸化膜24、フローティングゲート26、絶縁層28、コントロールゲート30とを有している。保護ダイオード20は、n型半導体からなる拡散層34とp型ウエル14とによって形成してある。記憶素子18のコントロールゲート30は、保護ダイオード20の形成領域を超えて延在しており、保護ダイオード20のカソードを形成しているn型半導体からなる拡散層34と接触している。保護ダイオード20は、トンネル酸化膜24の上部に電荷(Process-Induced Charge)が堆積されて所定の電位差を生ずると作動し、コントロールゲート30と半導体基板12とを導通して蓄積された電荷(Process-Induced Charge)を半導体基板12に流し、トンネル酸化膜24の膜質劣化を防止する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートとコントロールゲートとを備えた記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲートと半導体基板との間に設けられ、前記コントロールゲートに印加される書き込み電圧、読み出し電圧及び消去電圧のいずれより大きな前記コントロールゲートと前記半導体基板との間の電位差によって作動し、両者を導通させる保護スイッチ部が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
