特許
J-GLOBAL ID：200903001637759010

半導体デバイス製造プロセスモニタ装置および方法並びにパターンの断面形状推定方法及びその装置

発明者：
長友 渉

長友 渉 について

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諸熊 秀俊

諸熊 秀俊 について

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宮本 敦

宮本 敦 について

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笹澤 秀明

笹澤 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-320319
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129059
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において,被評価パターンの断面形状,あるいは被評価パターンのプロセス条件,あるいは被評価パターンのデバイス特性を,パターンを非破壊で計測可能にする。【解決手段】露光プロセス,あるいはエッチングプロセスにおいて,被評価パターンのSEM像から,被評価パターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し,前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより,被評価パターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの製造プロセスの途中において所定のプロセスを経て試料上に形成された対象パターンのSEM像を取得し、 該取得した対象パターンのSEM像の特徴量を求め、 該求めた対象パターンのSEM像の特徴量を、種々の立体形状パターンについて取得したSEM像から得た画像の特徴量のデータと前記立体形状パターンの断面形状を計測して得たデータとを関連付けて記憶しておいたデータベースと照合して推定モデルを当てはめ、 該当てはめた推定モデルに基づいて前記対象パターンの断面形状を推定し、 該推定した前記対象パターンの断面形状を予め設定した基準と比較して該基準を満たしているかを判定する ことを特徴とする半導体デバイスの製造プロセスモニタ方法。
IPC (6件)：
H01L 21/66 ,  G01B 15/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/02
FI (5件)：
H01L21/66 J ,  G01B15/04 K ,  H01L21/88 Z ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 Z
Fターム (37件)：
2F067AA13 ,  2F067AA23 ,  2F067AA26 ,  2F067AA33 ,  2F067AA52 ,  2F067CC17 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK08 ,  2F067LL16 ,  2F067PP12 ,  2F067QQ02 ,  2F067RR12 ,  2F067RR28 ,  2F067RR30 ,  2F067RR31 ,  2F067RR33 ,  2F067RR42 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB17 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB18 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ28 ,  5F033MM17 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033UU07 ,  5F033VV06 ,  5F033XX37
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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