特許
J-GLOBAL ID：200903001669962284

半導体装置及びその製造方法

発明者：
青木 仁志

青木 仁志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359535
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164536
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 より微細プロセスに適した高耐圧のトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型の半導体基板1上にゲート絶縁膜2を介して形成された第1の電極4と、少なくとも第1の電極4上に中間絶縁膜6を介して形成された第2の電極8と、互いに離間して半導体基板1に形成された一対の第2導電型の不純物領域とからなる半導体装置であって、不純物領域の少なくとも一方が、第1の電極4直下の領域側から順に低濃度不純物領域5、中濃度不純物領域9、高濃度不純物領域10を隣接して構成されてなる半導体装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された第1の電極と、少なくとも前記第1の電極上に中間絶縁膜を介して形成された第2の電極と、互いに離間して前記半導体基板に形成された一対の第2導電型の不純物領域とからなる半導体装置であって、該不純物領域の少なくとも一方が、前記第1の電極直下の領域側から順に低濃度不純物領域、中濃度不純物領域、高濃度不純物領域を隣接して構成されてなる半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786
FI (9件)：
H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 N
Fターム (89件)：
5F001AA21 ,  5F001AA25 ,  5F001AB03 ,  5F001AB04 ,  5F001AD17 ,  5F040DA20 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040DC03 ,  5F040DC04 ,  5F040DC05 ,  5F040EC00 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC08 ,  5F040EC09 ,  5F040EC10 ,  5F040EC13 ,  5F040EC19 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040EF02 ,  5F040EF11 ,  5F040EF13 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040EL03 ,  5F040EL04 ,  5F040EL06 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FC19 ,  5F048AA05 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP25 ,  5F083EP26 ,  5F083EP27 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083JA35 ,  5F101BA03 ,  5F101BA07 ,  5F101BB04 ,  5F101BB08 ,  5F101BD07 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (14件)
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