特許
J-GLOBAL ID：200903002127016427
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-144900
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】量産時における光学特性のばらつきを抑え、品質の揃ったハーフトーン型位相シフトマスクブランクスを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】ハーフトーン膜を少なくとも1層含む位相シフト膜を透明基板上に有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法において、金属およびシリコンを含むターゲットを用い、反応性ガスを含む雰囲気下に反応性スパッタリングを行うことにより、前記透明基板上に前記ハーフトーン膜を成膜する工程を有し、前記反応性スパッタリングによるハーフトーン膜の成膜が、反応性ガスの流量の変化に対して放電特性が安定となる領域から選択される反応性ガスの流量下に、前記ターゲットとして、所望のハーフトーン膜光学特性が得られるように金属とシリコンの組成比を選択したターゲットを用いて行われるハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ハーフトーン膜を少なくとも1層含む位相シフト膜を透明基板上に有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法において、
金属およびシリコンを含むターゲットを用い、反応性ガスを含む雰囲気下に反応性スパッタリングを行うことにより、前記透明基板上に前記ハーフトーン膜を成膜する工程を有し、
前記反応性スパッタリングによるハーフトーン膜の成膜が、反応性ガスの流量の変化に対して放電特性が安定となる領域から選択される反応性ガスの流量下に、前記ターゲットとして、所望のハーフトーン膜光学特性が得られるように金属とシリコンの組成比を選択したターゲットを用いて行われることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, C23C14/34
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F1/08 L
, C23C14/34 S
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BB31
, 2H095BC08
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029BA42
, 4K029BA43
, 4K029BA55
, 4K029BA58
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DC04
, 4K029DC34
