特許
J-GLOBAL ID：200903002159746559

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子

発明者：
渡辺 健一

渡辺 健一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369679
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136106
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】従来のステッパーのような複雑な光学系を持つ高価な設備を使うことなく、ナノインプリント法による簡便で量産に適し、しかも安価な設備を用いて、サファイア基板の表面にミクロンからサブミクロンオーダーの凹凸を形成する。さらに、この様にして作製した凹凸を形成したサファイア基板を用いて光り取り出し効率の高い半導体発光素子を作製する。【解決手段】主面上に複数の凹凸を有する半導体素子用単結晶サファイア基板において、該凹凸の形成にリソグラフィー法として、ナノインプリント法を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面上に複数の凹凸を有する単結晶サファイア基板の製造方法において、リソグラフィー法としてインプリント法を用いることにより上記凹凸に合致したパターンのマスクを形成する工程を含む単結晶サファイア基板の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00
FI (6件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/302 105A
Fターム (34件)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA05 ,  5F004EB08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EK28 ,  5F045GB04 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046CB27 ,  5F052DA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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