化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227331
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【解決手段】 (A)アセタール型以外の酸不安定基を含み、酸の作用で該酸不安定基が脱離することによりアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂(B)下記式(1a)のスルホニウム塩及び下記式(1b)のスルホニウム塩【化1】を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、アセタール型の酸不安定基を含まない酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂と上記光酸発生剤を含有することにより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間でも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、高解像性を有し、現像ムラによるウエハー面内でのパターン寸法変動がなく、特に遠紫外線リソグラフィーで大いに威力を発揮する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)アセタール型以外の酸不安定基を含み、酸の作用で該酸不安定基が脱離することによりアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂 (B)下記式(1a)で示されるスルホニウム塩及び下記式(1b)で示されるスルホニウム塩

IPC (3件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56

引用特許：

出願人引用 (11件)

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-049097 出願人：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100310 出願人：株式会社東芝
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-245978 出願人：ジェイエスアール株式会社

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審査官引用 (2件)

新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-242101 出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-309243 出願人：信越化学工業株式会社

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