半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184567
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010881
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】浅い不純物拡散領域におけるドーパント不純物の拡散を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上にゲート絶縁膜18を介してゲート電極20を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして半導体基板内にドーパント不純物を導入することにより、ゲート電極の両側の半導体基板内に不純物拡散領域28、36を形成する工程と、半導体基板上に、ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜38を形成する工程と、シリコン酸化膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極の側壁部分にシリコン酸化膜を有するサイドウォールスペーサ42を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン酸化膜を形成する工程では、ビスターシャルブチルアミノシランと酸素とを原料として用い、熱CVD法により、500〜580°Cの成膜温度で、シリコン酸化膜を形成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板内にドーパント不純物を導入することにより、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を異方性エッチングすることにより、前記ゲート電極の側壁部分に前記シリコン酸化膜を有するサイドウォールスペーサを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記シリコン酸化膜を形成する工程では、ビスターシャルブチルアミノシランと酸素とを原料として用い、熱CVD法により、500〜580°Cの成膜温度で、前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/42 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (8件)：

H01L29/78 301L , H01L27/08 321E , H01L21/316 X , H01L21/316 M , H01L21/318 B , H01L21/318 M , C23C16/42 , H01L21/90 K

Fターム (121件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH25 , 5F033MM07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ62 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ82 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX00 , 5F033XX28 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F058BA05 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F140AA06 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH35 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC04 , 5F140CC13 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-163791 出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-281036 出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-333129 出願人：株式会社日立国際電気

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審査官引用 (3件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-263807 出願人：ソニー株式会社
前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122174 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
複数のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272343 出願人：日本電気株式会社

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