特許
J-GLOBAL ID：200903072826309969

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
水野 謙和

水野 謙和 について

, 
前田 喜世彦

前田 喜世彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333292
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156063
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】低温成膜が可能な酸化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ビス ターシャル ブチル アミノ シランとO2とを原料ガスとして用いて酸化シリコン膜を熱CVD法により形成する。
請求項（抜粋）：
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとO2とを原料ガスとして用いて酸化シリコン膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (8件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163791   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
  • 成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087598   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
  • 容量絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-290983   出願人：株式会社日立製作所
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM