特許
J-GLOBAL ID：200903003025209766
セラミック積層体の製法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328648
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165375
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】セラミックグリーンシート上に形成された導体パターンによる段差を解消できるとともに、セラミックグリーンシート間の密着不良並びに焼成後のデラミネーションを防止できるセラミック積層体の製法を提供する。【解決手段】セラミックグリーンシート3a、3bの表面に矩形状の導体パターン5を形成し、前記導体パターン5が形成される領域を囲む部分に、前記導体パターン5の厚み以上のセラミックパターン7を形成する工程と、該導体パターン5およびセラミックパターン7が形成された前記セラミックグリーンシート3a、3bの上面に、別のセラミックグリーンシート3bを重ね合わせる工程と、を繰り返して母体積層体14を形成する工程を具備する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
(a)支持体上にセラミックグリーンシートを載置する工程と、
(b)該セラミックグリーンシートの表面に矩形状の導体パターンを形成する工程と、
(c)該導体パターンが形成された前記セラミックグリーンシートの上面に、別のセラミックグリーンシートを重ね合わせる工程と、
(d)(b)および(c)工程を繰り返して、該セラミックグリーンシートと前記導体パターンとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、
(e)該母体積層体を所定位置で切断して積層成形体を形成する工程と、
を具備するセラミック積層体の製法において、
前記母体積層体の前記セラミックグリーンシートの主面上における前記導体パターンが形成される領域を囲む部分にセラミックパターンを形成するとともに、前記導体パターンの外縁と、該導体パターンの外縁に略平行な前記セラミックパターンの内縁との間の間隔をD1、前記導体パターンの外角縁と前記外角縁の外側に位置する前記セラミックパターンの内角縁との最短間隔をD2としたときに、D1≧D2の関係を満足することを特徴とするセラミック積層体の製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/30 311D
, H01G4/12 364
5E001AB03
, 5E001AC03
, 5E001AH01
, 5E001AH06
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E082AB03
, 5E082BC32
, 5E082BC38
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082FG54
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082LL03
, 5E082PP09
