特許
J-GLOBAL ID：200903003591737478
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151393
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238945
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【目的】 クラッド層の光閉じ込め効果を向上させることにより、窒化物半導体レーザ素子のレーザ光をシングルモード化すると共に、発振閾値を低下させて信頼性に優れたレーザ素子を得る。【構成】 n側クラッド層は、少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのn側クラッド層全体の厚さが0.5μm以上で、かつそのn側クラッド層に含まれるAl平均組成を百分率(%)で表した際に、n側クラッド層全体の厚さ(μm)とAl平均組成(%)との積が4.4以上となるように構成されている。また前記n側とp側のクラッド層との間にある活性層を含んだ窒化物半導体層の厚さを200オングストローム以上、1.0μm以下の範囲に調整することにより、コア部分に光を閉じ込めてレーザ光の垂直横モードをシングルモード化する。
請求項（抜粋）：
n側とp側のクラッド層との間に、活性層が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記n側クラッド層は、少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのn側クラッド層全体の厚さが0.5μm以上で、かつそのn側クラッド層に含まれる3族元素に対するAl平均組成を百分率で表した際に、n側クラッド層全体の厚さ(μm)と、Al平均組成(%)との積が4.4以上となるように構成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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