特許
J-GLOBAL ID：200903003663386969

光または放射線検出器の製造方法

発明者：
徳田 敏

徳田 敏 について

, 
岡本 保

岡本 保 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について

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独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-249736
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071961
出願日： 2006年09月14日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる光または放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】半導体を形成する際に、ダミー基板Dに所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板Dから支持基板であるグラファイト基板Gに交換して、そのグラファイト基板Gに半導体を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板Gに所定厚みの半導体を蒸着によって形成する際は初期状態なので、本来であれば形成される不良膜がダミー基板Dに形成される。その後に、交換されたグラファイト基板Gには初期状態でない半導体が形成されるので、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方向に連続的に形成されたものとなる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
光または放射線の入射により電荷を生成する半導体と、その半導体を積層形成するために支持する支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成することを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 27/14 ,  C23C 14/02 ,  H01L 31/09 ,  H01L 27/146 ,  G01T 1/24 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24
FI (7件)：
H01L27/14 K ,  C23C14/02 Z ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 F ,  G01T1/24 ,  C23C14/06 G ,  C23C14/24 S
Fターム (32件)：
2G088EE01 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  4K029BA35 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029FA00 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA02 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  4M118GA10 ,  4M118HA31 ,  5F088AA20 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088CB06 ,  5F088CB20 ,  5F088EA04 ,  5F088LA07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (12件)
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