特許
J-GLOBAL ID：200903003711004461

SOI基板の製造方法および半導体素子の製造方法

発明者：
松下 孟史

松下 孟史 について

, 
田舎中 博士

田舎中 博士 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017726
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 高変換効率の薄膜太陽電池などの高性能の薄膜素子を低コストで製造する。【解決手段】 単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp+ 型Si層3、p型Si層4およびn+ 型Si層5を形成する。n+ 型Si層5上に保護膜6を形成した後、単結晶Si基板1の裏面を治具10に接着するとともに、保護膜6の表面に治具12を接着する。次に、治具10、12を互いに反対方向に引っ張ることにより多孔質Si層2を機械的に破断し、太陽電池層を単結晶Si基板1から分離する。この太陽電池層を二枚のプラスチック基板の間にはさんでフレキシブルな薄膜太陽電池を製造する。
請求項（抜粋）：
基体内に多孔質層を形成する工程と、前記基体表面上に半導体層を形成する工程と、前記基体から前記半導体層を分離する工程とを有し、前記基体から前記半導体層を分離する工程は前記多孔質層の内部および/または前記多孔質層と前記基体および前記半導体層との界面で機械的に破断を起こさせることにより行われることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3063
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 H ,  H01L 21/306 L
Fターム (31件)：
5F043AA02 ,  5F043AA03 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045CA13 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA05 ,  5F051GA15
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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