特許
J-GLOBAL ID:200903004128760424
半導体装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-265298
公開番号(公開出願番号):特開2005-026706
出願日: 2004年09月13日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】本発明は、積層体中の被剥離体に損傷を与えず、短時間で被剥離体を転写体への転写する方法の提供を課題とする。また、基板上に作製した半導体素子を、転写体、代表的にはプラスチック基板に転写する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に剥離層と被剥離体を形成し、剥離可能な粘着媒体を介して被剥離体と第1の支持体を接着し、さらに基板に第2の支持体を接着し、支持体間に物理的力を加えて、基板から被剥離体を剥離した後、被剥離体を樹脂からなる基板に接着し、剥離可能な粘着媒体を剥離可能な状態とし、第1の支持体を剥離することを特徴とする。【選択図】図6
請求項(抜粋):
第1の基板に剥離層を介して半導体素子を有する被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して第1の支持体を接着し、
前記第1の基板の前記剥離層が形成されていない面に第2の支持体を接着し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とに物理的力を加えて、前記剥離層及び前記被剥離体を前記第1の基板から剥離した後、
前記被剥離体を樹脂からなる基板に接着し、
前記剥離可能な粘着媒体を剥離可能な状態とし、前記被剥離体から前記第1の支持体を剥離する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件):
H01L27/12
, G02F1/1368
, H01L21/336
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (5件):
H01L27/12 B
, G02F1/1368
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 627D
Fターム (71件):
2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA24
, 2H092KA18
, 2H092KB04
, 2H092MA01
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092MA30
, 2H092MA31
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007BA07
, 3K007CA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE23
, 5F110FF04
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110GG51
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN72
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP10
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ16
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ28
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (11件)
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