半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178237
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019452
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】ESD 保護回路のサージ電流経路に使用される配線層に生じる熱を効率よく放熱でき、サージ電流経路に使用される配線層も保護する。【解決手段】外部端子と内部回路との間の配線に接続され、外部端子に印加された過大な静電サージ入力から内部回路を保護する保護素子を有する入力保護回路と、入力保護回路に接続され、そのサージ電流経路に含まれる第1のメタル配線層25と、第1のメタル配線層に連なり、熱伝導性が良好な材質の配線を用いてなる放熱器20とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部端子と内部回路との間の配線に接続され、外部端子に印加された過大な静電サージ入力から前記内部回路を保護する保護素子を有する入力保護回路と、前記入力保護回路に接続され、そのサージ電流経路に含まれる第1のメタル配線層と、前記第1のメタル配線層に連なり、熱伝導性が良好な材質の配線を用いてなる放熱器とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L27/04

FI (3件)：

H01L27/04 H , H01L21/88 T , H01L21/88 S

Fターム (40件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033NN34 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033VV00 , 5F033VV01 , 5F033VV07 , 5F033XX00 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038BH16 , 5F038EZ11 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-073661 出願人：三菱電機株式会社
電流容量とESD保護とを向上させる集積回路I/O線のためのマルチレベル・メタライゼーション構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-082774 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
特開平3-248567

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