特許
J-GLOBAL ID：200903004194074680

半導体装置及びその製造方法

発明者：
田辺 亮

田辺 亮 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278754
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 STI素子分離構造を有する半導体装置において、工程増・工程煩雑化を招くことなく、応力のゲート幅方向依存性を大幅に低減し、容易且つ確実に活性領域の受ける応力を緩和して、優れた電流特性を有して信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 各チャネル領域2b,3bは、その上面からx方向に沿った両側面へかけて、ゲート絶縁膜5を介したゲート電極6及びサイドウォールスペーサ9によりそれぞれ覆われている。即ち、各チャネル領域2b,3bのx方向に沿った両側面には、STI素子分離構造4の絶縁物は無く(非接触状態)、従ってチャネル領域2b,3bがSTI素子分離構造4からz方向の応力を受けることが防止される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の素子分離領域に形成された溝を絶縁物で埋め込んでなる素子分離構造と、 前記素子分離構造により前記半導体基板に画定された活性領域と、 前記活性領域上にゲート絶縁膜を介してパターン形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側における前記活性領域内に形成された一対の不純物拡散層と を有するトランジスタ構造を含み、 前記活性領域の前記各不純物拡散層間に形成された実質的な電流通過領域を構成するチャネル領域の少なくともゲート長方向に沿った両側面は、前記素子分離構造が非接触状態とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/265
FI (6件)：
H01L29/78 301R ,  H01L27/08 331A ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102A ,  H01L21/265 W
Fターム (50件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032BA05 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F048AA04 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AA05 ,  5F140AA08 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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