特許
J-GLOBAL ID：200903004765691703
パタ-ン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371210
公開番号（公開出願番号）：特開2000-194135
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用して形成されるレジストパターンの粗密依存性が良好であって、且つ短波長光源に対して好適なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに特定の構造の脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、得られたフォトレジスト組成物膜を活性光線又は放射線によりパターン状に露光する工程、及びその露光されたフォトレジスト組成物膜を、界面活性剤の存在下で有機アルカリ水溶液で現像する工程を含むパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(ロ)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、得られたフォトレジスト組成物膜を活性光線又は放射線によりパターン状に露光する工程、及びその露光されたフォトレジスト組成物膜を、界面活性剤の存在下で有機アルカリ水溶液で現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/32
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/32
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096GA09
, 2H096GA11
, 2H096HA23
