特許
J-GLOBAL ID：200903004954568017

ヒータおよびウェハ加熱装置ならびにこのヒータの製造方法

発明者：
中村 恒彦

中村 恒彦 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247395
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066542
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 半導体素子の微細パターンを精度良く形成するにはウェハに成膜処理やエッチング処理を行う際にウェハの表面温度をこれまで以上に小さく制御する必要があった。しかし、これまでのセラミック製のヒータはウェハの面内温度差が5°C以上と大きく微細パターンを形成すると半導体素子の歩留まりが低下する虞があった。 【解決手段】 コイル状の抵抗発熱体を埋設した板状セラミック体の一方の主面を板状の被加熱物を載せる載置面とし、該載置面から見て前記コイル状の抵抗発熱体の中心線は円弧状と折り返し形状とを連続させて略同心円状に配設され、同一円周上に位置する一対の折り返し形状をなす抵抗発熱体の間の距離が半径方向に隣り合う前記円弧状をなす中心線の間の距離よりも小さくすると、上記一対の折り返し形状をなす抵抗発熱体付近の発熱量が大きくなり、この付近にクールスポットを発生する虞がなくウェハWを均一に加熱することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コイル状の抵抗発熱体を埋設した板状セラミック体の一方の主面を被加熱物を載せる載置面とし、該載置面から見てコイル状の前記抵抗発熱体は、中心線が弧状に配置された弧状部と折り返し形状に配置された折り返し部とを連続させて略同心円状に配設され、同一円周上に位置して対向する前記折り返し部の間の距離が、半径方向に隣り合う前記弧状部の中心線の間の距離よりも小さいことを特徴とするヒータ。
IPC (3件)：
H05B 3/20 ,  H05B 3/74 ,  H05B 3/10
FI (3件)：
H05B3/20 356 ,  H05B3/74 ,  H05B3/10 A
Fターム (34件)：
3K034AA02 ,  3K034AA16 ,  3K034AA22 ,  3K034BA06 ,  3K034BA11 ,  3K034BA17 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC15 ,  3K034BC16 ,  3K034BC28 ,  3K034BC29 ,  3K034DA01 ,  3K034JA01 ,  3K034JA07 ,  3K034JA10 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB26 ,  3K092QB45 ,  3K092QB62 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF19 ,  3K092RF25 ,  3K092RF26 ,  3K092SS14 ,  3K092SS30 ,  3K092SS44 ,  3K092SS45 ,  3K092UA01 ,  3K092VV22 ,  3K092VV35
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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