特許
J-GLOBAL ID：200903005015579231
積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、アクチュエータ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227271
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053395
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】結晶配向性の強い膜上に、エピタキシャルな関係を絶って他の膜を自由成長させることができる積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、アクチュエータ装置を提供する。【解決手段】結晶配向性を有する下地層60の上に当該下地層60の材料とは異なり且つエピタキシャル成長可能な材料からなる結晶層72を形成して積層膜を製造するに際し、前記下地層60上に前記結晶層72となる前駆体層71を形成し、該前駆体層71上に配向が定まらない状態で界面エネルギー低減層73を形成した後、該界面エネルギー低減層73側から前記下地層60側に向けて前記前駆体層71を自由成長させて配向した結晶層72を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
結晶配向性を有する下地層の上に当該下地層の材料とは異なり且つエピタキシャル成長可能な材料からなる結晶層を形成して積層膜を製造するに際し、
前記下地層上に前記結晶層となる前駆体層を形成し、該前駆体層上に配向が定まらない状態で界面エネルギー低減層を形成した後、該界面エネルギー低減層側から前記下地層側に向けて前記前駆体層を自由成長させて配向した結晶層を形成することを特徴とする積層膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, B41J 2/16
H01L41/22 Z
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, B41J3/04 103H
2C057AF93
, 2C057AP16
, 2C057AP52
, 2C057AP57
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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