特許
J-GLOBAL ID:200903005109003040
リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-392310
公開番号(公開出願番号):特開2004-172626
出願日: 2003年11月21日
公開日(公表日): 2004年06月17日
要約:
【課題】リソグラフィー装置で第1ガスと第2ガスが混合しない方法および装置を提供する。【解決手段】第3ガスを使用して第2ガスから第1ガスを分離する方法および装置であり、第1ガスにもとづく光を放射する素子を有する第1室、方法を実施するために放射した光を使用し、第2ガスを有する第2室、第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、ガスロック中で第1ガスを第2ガスから分離するように、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源を有する装置において、第1室から第1ガスおよび第3ガスを供給し、互いに分離して、第1ガスを循環させて放射した光を形成するために再利用する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
第1ガスにもとづく光を放射する部品を有する第1室、
方法を実施するために放射した光を使用し、かつ第2ガスを有する第2室、
第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、および
ガスロック中で第2ガスから第1ガスを分離するために、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源
を有する装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/30 531A
, G03F7/20 521
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (19件)
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特開昭58-225636
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特開昭61-179046
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特開昭62-268048
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審査官引用 (20件)
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引用文献:
出願人引用 (1件)
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Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography
審査官引用 (1件)
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Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography
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