特許
J-GLOBAL ID：200903005434083190
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306144
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203843
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 基板電極よりも下流の領域へのプラズマの拡がりが起きにくく、パワー効率が良く、かつ、メンテナンス作業が軽減できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力を真空容器1内に突出して設けられたアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマが発生する。真空容器1は接地され、かつ、外周部のほぼ全部が接地されたパンチングメタル20によって真空容器1が基板7のある側と基板7の無い側(図1のハッチング部分)に分離されている。
請求項（抜粋）：
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられたアンテナに、周波数100kHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、真空容器が接地され、かつ、外周部のほぼ全部が接地されたパンチングメタルまたは導体メッシュによって真空容器が基板のある側と基板の無い側に分離され、基板の無い側にプラズマが回り込んでいない状態で基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, H05H 1/46
B01J 19/08 H
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075AA61
, 4G075BC06
, 4G075CA25
, 4G075CA47
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EC21
, 4G075EC30
, 4G075EE02
, 4G075FA01
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 4G075FC20
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB11
