特許
J-GLOBAL ID：200903005738278159
NANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-249896
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087569
出願日： 2006年09月14日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】NANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。【解決手段】MLCプログラム動作時にプログラム速度を速くすることができるNANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法が開示される。NANDフラッシュメモリ装置は、増加型ステップパルスプログラムISPP方法を使用してプログラム動作を実行する。NANDフラッシュメモリ装置はマルチビットデータを保持するメモリセル、前記メモリセルに提供するプログラム電圧を発生するプログラム電圧発生回路、及び、前記プログラム電圧の開始レベルを制御するプログラム電圧コントローラを含む。NANDフラッシュメモリ装置は、LSBプログラム動作時に選択されたワードラインにLSB開始電圧を提供し、MSBプログラム動作時に前記選択されたワードラインに前記LSB開始電圧より高いMSB開始電圧を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
増加型ステップパルスプログラム(ISPP)方法を用いてプログラム動作を実行するNANDフラッシュメモリ装置において、
マルチビットデータを保持するメモリセルと、
前記メモリセルに提供するプログラム電圧を発生するプログラム電圧発生回路と、
前記プログラム電圧の開始レベルを制御するプログラム電圧コントローラとを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 641
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 622E
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125DB02
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125EA05
, 5B125EG05
, 5B125EG08
, 5B125EG16
, 5B125EJ08
, 5B125FA02
