レジスト積層物

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215727
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】遠紫外領域の露光に対応し得、第1層と第2層との密着性が優れ、高い解像力を有し、優れたドライエッチング耐性を有するレジストパターンを形成することができ、さらに、短時間での高温処理が可能であり、製造適性にも優れるレジスト積層物を提供すること。【解決手段】基板上に、特定の繰り返し構造単位を有する樹脂、加熱により酸を発生する化合物、及び酸により該樹脂を架橋する酸架橋性化合物を含有する層と、この上に珪素原子を含有する樹脂と活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するシリコン含有感輻射線性レジスト層を有するレジスト積層物。

請求項（抜粋）：

基板上に、下記一般式(I)で表される繰り返し構造単位を有する樹脂、加熱により酸を発生する化合物、及び酸により該樹脂を架橋する酸架橋性化合物を含有する層と、この上に珪素原子を含有する樹脂と活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するシリコン含有感輻射線性レジスト層を有することを特徴とするレジスト積層物。【化1】式〔I〕中、Rは、水素原子、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシ基、アリーロキシカルボニル基又はアリールカルボニロキシ基を表し、複数のRは、各々同一でも異なっていてもよい。また、複数の置換基Rが互いに結合して環を形成しても良い。mは1又は2を表す。

IPC (10件)：

G03F 7/26 511 , C08F212/04 , C08F220/16 , C08F220/20 , C08K 5/00 , C08L 25/00 , C08L 33/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (11件)：

G03F 7/26 511 , C08F212/04 , C08F220/16 , C08F220/20 , C08K 5/00 , C08L 25/00 , C08L 33/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573

Fターム (100件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096AA27 , 2H096BA20 , 2H096CA05 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA04 , 2H096KA02 , 2H096KA06 , 2H096KA19 , 4J002BC011 , 4J002BC101 , 4J002BG001 , 4J002BG011 , 4J002BG021 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002EE027 , 4J002EJ016 , 4J002ET016 , 4J002EU186 , 4J002EV217 , 4J002EV247 , 4J002EW007 , 4J002EY007 , 4J002EY027 , 4J002FD146 , 4J002FD157 , 4J002FD207 , 4J002GF00 , 4J002GP03 , 4J100AB00P , 4J100AB02P , 4J100AB04P , 4J100AB07P , 4J100AB08P , 4J100AB09P , 4J100AB10P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL16Q , 4J100AL16R , 4J100AL26Q , 4J100AL26R , 4J100AQ25P , 4J100BA02P , 4J100BA02R , 4J100BA03P , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA08R , 4J100BA16P , 4J100BA16Q , 4J100BA16R , 4J100BA20P , 4J100BB18P , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12Q , 4J100BC12R , 4J100BC26Q , 4J100BC43P , 4J100CA05 , 4J100JA38 , 5F046LB01 , 5F046NA01 , 5F046NA14 , 5F046PA08 , 5F046PA09

引用特許：

審査官引用 (10件)

193NMリソグラフィーのためのヒドロキシ-アミノ熱硬化下塗り
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-604269 出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
193NMリソグラフィーのためのヒドロキシ-エポキシド熱硬化下塗り
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-604080 出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
ハレーション止め組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-328816 出願人：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る