銅の堆積方法および接着性導電体界面

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172973
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】集積回路基板内の拡散バリアー材料へのCuの接着を向上させた銅の堆積方法および接着性導電体界面を提供する。【解決手段】拡散バリアー材料は、反応性ガス種または反応性ガスを含有するプラズマに曝される。拡散バリアー表面の汚染物質を除去し、拡散バリアー表面と反応性ガスとの間に弱い分子結合を形成することにより、拡散バリアー表面が保護されCuの接着のための予備処理が行われる。Cuは反応性ガスと拡散バリアー表面との間の結合を破壊して、拡散材料に容易に結合し、表面間の接着を向上させる。

請求項（抜粋）：

選択された集積回路(IC)表面にCuを堆積する方法であって、該選択されたCu受容表面は、ほぼ該ICの選択された領域に堆積された拡散バリアー材料上に存在し、a)該選択されたCu受容表面のそれぞれを反応性ガス種に曝すステップと、b)該反応性ガス種を該Cu受容表面の分子と相互作用させ、このことにより高エネルギー分子結合が、該反応性ガス種と該反応性ガス種に曝された該銅受容表面との間の低エネルギー結合に置換され、これにより、該曝された銅受容表面の表面特性を変えて、該銅受容表面と続いて堆積されるCuとの間の結合の形成を促進させるステップと、c)ステップa)で曝された該Cu受容表面にCuをCVDにより堆積させ、このことにより、該拡散バリアーへのCuの接着を向上させるステップと、を包含する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , C23C 16/06 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/88 M , C23C 16/06 , H01L 21/28 301 Z

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044199 出願人：富士通株式会社
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-190121 出願人：ソニー株式会社
多層配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-133873 出願人：富士ゼロックス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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