特許
J-GLOBAL ID：200903005988675218

窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者：
竹内 日出雄

竹内 日出雄 について

, 
山本 佳嗣

山本 佳嗣 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 河宮 治 ,  山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214259
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040932
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 放熱特性を損なうことなく基板リーク電流と誘電損失とを低減させた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面と裏面とを有するシリコン基板と、シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置において、シリコン基板の裏面上に、高熱伝導性絶縁物質層が設けられる。また、窒化物半導体装置の製造方法が、窒化物半導体層を形成したシリコン基板を溶液に浸漬し、電気化学法によりシリコン基板の裏面に高熱伝導性絶縁物質層を析出させる工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面と裏面とを有するシリコン基板と、該シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置であって、 該シリコン基板の裏面上に、高熱伝導性絶縁物質層が設けられたことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 5/323 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (2件)：
H01S5/323 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (11件)：
5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102HC00 ,  5F102HC11 ,  5F102HC26 ,  5F173AH22 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AQ01 ,  5F173AR72
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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