特許
J-GLOBAL ID：200903006052853358
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055275
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256539
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】MIS(metal insulator semiconductor)型電界効果トランジスタを有する半導体装置に関し、ホットキャリア耐性をさらに高くするとともに、不純物イオンのゲート絶縁層の突き抜けを防止してトランジスタの駆動電圧の閾値のバラツキを小さくすること。【解決手段】半導体基板1上に形成された第1の窒化酸化物よりなるゲート絶縁層4と、前記ゲート絶縁層4上に形成されたゲート電極5と、前記ゲート電極5の両側方の前記半導体基板1に形成されたソース/ドレイン領域6s,6dと、前記半導体基板1表面のうち前記ソース/ドレイン領域6s,6dを覆い、かつ、前記ゲート絶縁層4とは異なる層厚方向での窒素濃度分布を有する窒化酸化絶縁層4aとを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の窒化酸化物よりなるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側方の前記半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域と、前記半導体基板表面のうち前記ソース/ドレイン領域を覆い、かつ、前記ゲート絶縁層とは異なる層厚方向の窒素濃度分布を有する窒化酸化絶縁層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/318
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 Y
