特許
J-GLOBAL ID：200903006197473960

浸炭装置及び浸炭方法

発明者：
中井 宏

中井 宏 について

, 
中林 貴

中林 貴 について


出願人/特許権者：
株式会社IHI

株式会社IHI について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043973
公開番号（公開出願番号）：特開2008-208395
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】浸炭炉の内部の炉内ガスの状態を迅速且つ精確に求め、真空浸炭処理を再現性良く良好に行うことができる浸炭装置を提供する。【解決手段】浸炭装置は、物体を収容する浸炭炉と、浸炭炉に浸炭ガスを供給するガス供給装置と、浸炭ガスが供給された浸炭炉の内部の炉内ガスを用いて発光する発光装置と、発光装置からの光を受光する受光装置と、受光装置の受光結果に基づいて、炉内ガスの組成を求める処理装置とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
物体を真空浸炭処理する浸炭装置であって、 前記物体を収容する浸炭炉と、 前記浸炭炉に浸炭ガスを供給するガス供給装置と、 前記浸炭ガスが供給された前記浸炭炉の内部の炉内ガスを用いて発光する発光装置と、 前記発光装置からの光を受光する受光装置と、 前記受光装置の受光結果に基づいて、前記炉内ガスの組成を求める処理装置と、を備えた浸炭装置。
IPC (5件)：
C23C 8/20 ,  C21D 1/06 ,  C21D 1/773 ,  C21D 1/74 ,  G01N 21/71
FI (7件)：
C23C8/20 ,  C21D1/06 A ,  C21D1/773 J ,  C21D1/74 X ,  C21D1/74 K ,  C21D1/74 P ,  G01N21/71
Fターム (12件)：
2G043AA01 ,  2G043CA02 ,  2G043EA09 ,  2G043EA10 ,  2G043GA07 ,  2G043GB11 ,  2G043GB12 ,  2G043JA01 ,  2G043LA01 ,  4K028AA01 ,  4K028AC03 ,  4K028AC08
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM