MOS集積回路の特性を改良するためのボディ電圧のパルス動作

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258983
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101416
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】ボディ電位を調整することにより高速で動作しおよび消費電力の少ないMOS集積回路を提供する。【解決手段】金属・酸化物・半導体(MOS)デバイスを用いた回路300が開示される。回路300は回路機能を提供する回路部分302と、回路部分302の中のトランジスタのボディ電位を変えるボディ電圧調整部分304とを有する。回路部分300トランジスタのボディ電位を調整することにより、回路部分300がその機能を実行することができる速度が増大する。デコーダ回路実施例800およびセンス増幅器実施例1200、1300、1500、1600、1700、1800、1900および2000がまた開示される。

請求項（抜粋）：

第1導電形の第1ボディ領域を有するバルク(bulk)半導体基板と、前記第1ボディ領域の中に作成され、前記第1ボディ領域の中に作成された第2導電形のソース領域およびドレイン領域を有する、第1回路絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET、insulated gate field effect transistor)と、ソースとドレインとゲートとを有する第1調整IGFETであって、前記第1調整IGFETのソース・ドレイン路が前記第1ボディ領域と第1調整電圧との間に結合され、前記第1調整IGFETのゲートが第1パルス信号に結合され、前記第1パルス信号が前記第1調整電圧を前記第1ボディ領域に結合する活性部分と前記第1ボディ領域を前記第1調整電圧から分離する不活性部分とを有する、前記第1調整IGFETと、を有する集積回路。

IPC (7件)：

H03K 19/094 , G11C 11/408 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/096

FI (5件)：

H03K 19/094 D , H03K 19/096 B , G11C 11/34 354 G , H01L 27/04 G , H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

CMOS型インバータ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-228940 出願人：三洋電機株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-031846 出願人：株式会社リコー
インバータ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-228938 出願人：三洋電機株式会社

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