特許
J-GLOBAL ID：200903007824234108

有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法

発明者：
ジャエ チャン ジュン

ジャエ チャン ジュン について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363544
公開番号（公開出願番号）：特開2004-029706
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】半導体素子の製造工程中、193nm ArFを利用したリトグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止し、光及びフォトレジスト自体の厚さ変化による定在波を除去することができ、フォトレジストパターンの均一度を増加させることができる有機反射防止膜組成物及びこれを利用したパターン形成方法を提供する。【解決手段】この有機反射防止膜組成物は、反射防止膜が架橋構造を持つことができるようにする架橋剤、光吸収剤に使われる下記化学式[化1]の構造を有するポリビニールフェノール重合体、熱酸発生剤及び有機溶媒を含み構成される有機反射防止膜組成物であり、酸拡散防止剤をさらに含む。【化1】【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反射防止膜が架橋構造を持つことができるようにする架橋剤と、光吸収剤に使われる下記化学式[化1]の構造を有するポリビニールフェノール重合体と、熱酸発生剤及び有機溶媒を含んで構成される有機反射防止膜組成物において、酸拡散防止剤をさらに含むことを特徴とする有機反射防止膜組成物。
IPC (4件)：
G03F7/11 ,  C08G81/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312
FI (4件)：
G03F7/11 503 ,  C08G81/02 ,  H01L21/312 A ,  H01L21/30 574
Fターム (20件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD05 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J031AA13 ,  4J031AA15 ,  4J031AC04 ,  4J031AD01 ,  4J031AE07 ,  4J031AF22 ,  5F046PA07 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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