特許
J-GLOBAL ID：200903007849290738

ZnSe系化合物半導体発光素子

発明者：
片山 浩二

片山 浩二 について

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三枝 明彦

三枝 明彦 について

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松原 秀樹

松原 秀樹 について

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武部 敏彦

武部 敏彦 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307150
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 台座電極下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上とそのばらつきの低減を図ることができるように改良されたZnSe系化合物半導体発光素子を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 ZnSe単結晶基板1の上に、n型半導体層2,3が設けられている。n型半導体層2,3の上に発光層4が設けられている。発光層4の上に、p型半導体層5,6,7,8が設けられている。p型半導体層5,6,7,8の上に、ワイヤボンディングをするための台座電極11が設けられている。台座電極11の直下の半導体層に電流が流れないようにされている。
請求項（抜粋）：
ZnSe単結晶基板と、前記ZnSe単結晶基板の上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたp型半導体層と、前記p型半導体層の上に設けられ、ワイヤボンディングをするための台座電極と、を備え、前記台座電極の直下の半導体層に電流が流れないようにされているZnSe系化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/327
FI (4件)：
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18 624 ,  H01S 3/18 674
Fターム (22件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA61 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (18件)
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