特許
J-GLOBAL ID:200903008113443665

可変インダクタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 石原 昌典 ,  生井 和平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-294040
公開番号(公開出願番号):特開2005-064308
出願日: 2003年08月18日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
【課題】半導体基板上に形成可能であり、Q値の劣化が少なく、インダクタンスの変化量が大きい可変インダクタを提供する。【解決手段】半導体処理工程により半導体基板1上にスパイラルインダクタ2が形成される。インダクタ2の磁束4を変化させることが可能な位置に、磁束可変手段である導体板3と、それを移動させるためのアクチュエータとを配置する。アクチュエータを用いて、インダクタの例えば上方近傍で導体板を水平移動させることで、磁束を変化させる。また、2段インダクタの間で導体板を水平移動させてインダクタンスを変化させることも可能である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成される可変インダクタであって、該可変インダクタは、 半導体処理工程により前記半導体基板上に形成されるインダクタと、 前記インダクタの磁束を変化させることが可能な位置に設けられる磁束可変手段と、 を具備することを特徴とする可変インダクタ。
IPC (3件):
H01F21/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (2件):
H01F21/06 E ,  H01L27/04 L
Fターム (3件):
5F038AZ05 ,  5F038AZ10 ,  5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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