特許
J-GLOBAL ID：200903008280314737
Si結晶インゴットの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180842
公開番号（公開出願番号）：特開2009-173518
出願日： 2008年07月11日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】一般的に使われるキャスト成長法を用いて、そのインゴット全体の品質を上げることができ、高品質で高歩留まりなSi結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶成長用ルツボに入れたSi融液を用いて前記ルツボ内でSi結晶インゴットを結晶成長させる手法において、結晶成長の途中または最終段階で、成長した前記Si結晶インゴットを残留する前記Si融液から切り離すことを特徴とするSi結晶インゴットの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 11/00
, C01B 33/037
C30B29/06 501Z
, C30B11/00 Z
, C01B33/037
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072MM38
, 4G072MM40
, 4G072NN01
, 4G072UU02
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CD08
, 4G077EA01
, 4G077EG01
, 4G077EG15
, 4G077HA01
, 4G077MB14
, 4G077MB21
, 4G077MB26
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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