特許
J-GLOBAL ID:200903045221949047
Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-198490
公開番号(公開出願番号):特開2007-022815
出願日: 2003年07月17日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】キャスト法を用いたSi系結晶の成長方法において、前記Si系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Si系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Si系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。【解決手段】キャスト成長用坩堝11の底部に、少なくともSiを含む結晶片を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝11内において、結晶片の上方にSi原料を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝11を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するようにSi原料を溶解して、Si融液14を形成する。次いで、Si融液14を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部12AからSi系結晶を一方向成長させる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
キャスト成長用坩堝の底部に、少なくともSiを含む結晶片を配置する工程と、
前記キャスト成長用坩堝内において、前記結晶片の上方にSi原料を配置する工程と、
前記キャスト成長用坩堝を加熱して、前記結晶片の少なくとも一部が残存するように前記Si原料を溶解して、Si融液を形成する工程と、
前記Si融液を冷却及び凝固させることにより、前記結晶片の残部からSi系結晶を一方向成長させる工程と、
を具えることを特徴とする、Si系結晶の成長方法。
IPC (3件):
C30B 29/52
, C30B 11/10
, H01L 31/04
FI (3件):
C30B29/52
, C30B11/10
, H01L31/04 H
Fターム (16件):
4G077AA02
, 4G077BE05
, 4G077CD02
, 4G077EC02
, 4G077ED02
, 4G077EG01
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077MB04
, 4G077MB21
, 4G077MB32
, 5F051AA03
, 5F051CB05
, 5F051CB11
, 5F051CB29
, 5F051GA04
引用特許:
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