特許

J-GLOBAL ID：200903008683310308

半導体装置とその製造方法

発明者： 山口 正臣 ,  杉山 芳弘 ,  南方 浩志 ,  迫田 恒久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431910
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191341
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 ゲート絶縁膜としてヒステリシスが小さく、フラットバンド電圧の変化ΔVfbが小さな酸化物高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上に形成された第1酸化物層、その上に形成された第2酸化物層、さらにその上に形成された第3酸化物層を含む高誘電率絶縁層であって、第1酸化物層と第3酸化物層は、第2酸化物層より小さい酸素の拡散係数を有する、高誘電率絶縁層と、前記高誘電率絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、 前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、 前記酸化シリコン層上に形成された第1酸化物層、その上に形成された第2酸化物層、さらにその上に形成された第3酸化物層を含む高誘電率絶縁層であって、第1酸化物層と第3酸化物層は、第2酸化物層より小さい酸素の拡散係数を有する、高誘電率絶縁層と、 前記高誘電率絶縁層上に形成されたゲート電極と、 を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  C23C16/40

FI (2件)：

H01L21/316 M ,  C23C16/40

Fターム (31件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF51 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088915   出願人：三菱電機株式会社
• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215186   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-395734   出願人：松下電器産業株式会社
• 化学気相成長法による膜堆積装置および膜堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206513   出願人：株式会社堀場製作所
• 半導体装置、相補型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077055   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-017038   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-080316   出願人：ソニー株式会社