薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102977
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311704
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】本発明は、基体上に表面凹凸形状の制御された透明電極を形成することにより、安価に製造可能な薄膜光電変換装置用基板を得、性能の改善された薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】基体1上に少なくとも酸化亜鉛膜からなる電極2と、少なくとも一つの結晶質光電変換ユニット11ともう一つの電極3とを具備した薄膜光電変換装置において、酸化亜鉛膜の表面は粒径が50〜500nmで、かつ高さが20〜200nmの凹凸を有し、かつ酸化亜鉛膜は(001)の優先配向面を有し、そのX線回折パターンにおける(002)ピーク強度に対する(110)ピーク強度の比が0.5以下であることを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体とその上に製膜された少なくとも酸化亜鉛膜からなる薄膜光電変換装置用基板であって、該酸化亜鉛膜の表面は粒径が50〜500nmで、かつ高さが20〜200nmの凹凸を有し、さらに該酸化亜鉛膜は(001)の優先配向面を有し、そのX線回折パターンにおいて(002)ピーク強度に対する(110)ピーク強度の比が0.5以下であることを特徴とする薄膜光電変換装置用基板。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 M , H01L31/04 H

Fターム (12件)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA07 , 5F051CA15 , 5F051CB12 , 5F051CB15 , 5F051DA15 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA19 , 5F051FA30 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (13件)

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-050590 出願人：鐘淵化学工業株式会社
太陽電池用基板および薄膜太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-333718 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社, 松田彰久, 近藤道雄
特開平4-282871

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