電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-033334
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227479
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】良好な電気的得意のFETを高い安定性をもって製造することができる電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板を提案すること。【解決手段】電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板において、下地基板1と動作層として動くud-AlGaN層5との間に、Ga又はAlを含むAlN第一緩衝層2とAlGaN第二緩衝層3とを設け、これらの内の少なくとも一方を周期律表においてGaと同一周期にありかつ原子番号の小さい補償不純物元素を添加して高抵抗結晶層とすると共に、この高抵抗結晶層とud-AlGaN層5との間に無添加もしくは空乏状態を維持できる程度の微量アクセプター不純物を含有するud-GaN高純度エピタキシャル結晶層4を設けた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地基板と動作層との間にGaを含む窒化物系3-5族半導体エピタキシャル結晶が設けられて成る電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板において、該窒化物系3-5族半導体エピタキシャル結晶が、 GaまたはAlを含む第一の緩衝層と、該第一緩衝層の前記動作層側に積層されたGaまたはAlを含む第二の緩衝層とを含んでおり、前記第一の緩衝層及び前記第二の緩衝層の内の少なくとも一方が、周期律表においてGaと同一周期にありかつ原子番号の小さい補償不純物元素を添加された高抵抗結晶層であり、かつ、該高抵抗結晶層と前記動作層との間に設けられた、無添加もしくは空乏状態を維持できる程度の微量アクセプター不純物を含有する高純度エピタキシャル結晶層を含んでいることを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 Q , H01L21/205

Fターム (41件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC20 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA59 , 5F045DA66 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045EE02 , 5F045EE03 , 5F045EF02 , 5F045EK07 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL09 , 5F102GL15 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR07 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2560562号公報

審査官引用 (7件)

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-235336 出願人：日本電信電話株式会社
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-324870 出願人：昭和電工株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039646 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る