特許
J-GLOBAL ID：200903014388462430
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133465
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330558
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 発光特性の良好な窒化物半導体発光素子を提供する。【構成】 p層の略全面に形成された透光性のオーミック層7Aと、酸化物からなる保護膜12との間に、酸化防止層7Bを備えている。
請求項（抜粋）：
p層の略全面に形成された透光性のp側電極と、該p側電極の表面を覆う透光性且つ絶縁性を有する酸化物よりなる保護膜と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、前記p側電極が前記p層の略全面に被着されたオーミック層と、前記オーミック層と保護膜との間に形成された酸化防止層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
