特許
J-GLOBAL ID：200903009556486223
高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031214
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223220
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】高耐圧半導体装置の順方向電圧劣化を低減し、長寿命かつ信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】バイポーラ半導体素子のドリフト層とアノード層との接合と、電界緩和層とを離隔して形成し、前記接合と電界緩和層との間の半導体領域に、アノード電極の端部を絶縁膜を介して対向させる。逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。順バイアス時には、接合と電界緩和層を電気的にも離隔して順方向電流が接合のみを通って流れるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バイポーラ半導体素子として動作するp型及びn型の導電型の半導体領域を有し、前記半導体領域に電流路を形成する第1のpn接合、
前記第1のpn接合の端部から離隔して前記半導体領域の一方の半導体領域内に設けられ、前記一方の半導体領域内で周囲の半導体領域の導電型とは異なる導電型を有し、前記周囲の半導体領域との間に第2のpn接合を形成する電界緩和層、
前記第1のpn接合を形成する他方の半導体領域に電気的に接続されるとともに、前記第1のpn接合と前記第2のpn接合との間の半導体領域に、電気絶縁膜を介して対向する前記バイポーラ半導体素子の電流通路となる第1の電極、及び
前記一方の半導体領域に接続された第2の電極
を少なくとも有するワイドギャップ半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/861
, H01L29/06
, H01L29/74
, H01L29/744
, H01L29/78
H01L29/91 F
, H01L29/06 301G
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652T
, H01L29/91 D
, H01L29/74 B
, H01L29/74 C
, H01L29/74 W
5F005AB03
, 5F005AC02
, 5F005AF02
, 5F005BA01
, 5F005CA04
