特許
J-GLOBAL ID：200903009591375388

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359314
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122035
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、コンタクトホール及びトレンチパターン形成において広いプロセスウインドウをもつポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】分子鎖の少なくとも一方の末端にカルボキシル基を有し、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(A)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)分子鎖の少なくとも一方の末端にカルボキシル基を有し、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F220/28 ,  H01L21/30 502R
Fターム (42件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03R ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA35P ,  4J100BA58P ,  4J100BB01R ,  4J100BC01P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC43R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 高分子の合成と反応(1), 1992, 93

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