特許
J-GLOBAL ID:200903009876330280
半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-043589
公開番号(公開出願番号):特開平11-243160
出願日: 1998年02月25日
公開日(公表日): 1999年09月07日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、クラックや膨れが発生するのを防止することを目的とする。【解決手段】 半導体チップ12と、該半導体チップ12を搭載するためのテープ14と、該半導体チップと該テープとの間に設けられた接着性樹脂層16と、該テープに設けられたはんだボール28とを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップ12を接着性樹脂層16を介してテープ14に固定する工程と、はんだボール28を該テープ14に付ける工程と、半導体チップ12を接着性樹脂層16を介してテープ14に固定する工程の後で、該テープ14を貫通する少なくとも一つの穴32を形成する工程とを備える構成とする。
請求項(抜粋):
半導体チップと、該半導体チップを搭載するためのテープと、該半導体チップと該テープとの間に設けられた接着性樹脂層と、該テープに設けられたはんだボールとを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップを接着性樹脂層を介してテープに固定する工程と、はんだボールを該テープに付ける工程と、半導体チップを接着性樹脂層を介してテープに固定する工程の後で、該テープを貫通する少なくとも一つの穴を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60 311
FI (3件):
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 301 A
, H01L 21/60 311 R
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-331917
出願人:ソニー株式会社
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半導体パッケ-ジ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-309001
出願人:日立化成工業株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-162594
出願人:日立電線株式会社
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