有機薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-214078
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049204
出願日： 2007年08月20日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】酸素や水分から保護され、電磁的に保護され、特性が安定化し、集積化に適した有機薄膜トランジスタ。【解決手段】基板10と、基板10上に配置されたゲート電極12と、ゲート電極12上に配置されたゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14上に配置されたソース電極16およびドレイン電極18と、ソース電極16とドレイン電極18間であって、ゲート絶縁膜14上に配置された有機半導体層20と、有機半導体層20上に配置された正孔輸送層22と、正孔輸送層22上に配置された電子輸送層24と、電子輸送層24上に配置された導電体層26とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間であって前記ゲート絶縁膜上に配置された有機半導体層と、前記有機半導体層上に配置された導電体層とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 626B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 619A , H01L29/28 100A

Fターム (40件)：

5F110AA04 , 5F110AA15 , 5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (2件)

回路素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-087542 出願人：パイオニア株式会社
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-427436 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (9件)

有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-142565 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機半導体トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-301856 出願人：キヤノン株式会社
有機薄膜トランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345004 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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