特許
J-GLOBAL ID：200903042693855560

電界効果トランジスタ

発明者：
桑原 博一

桑原 博一 について

, 
池田 征明

池田 征明 について

, 
安達 千波矢

安達 千波矢 について


出願人/特許権者：
日本化薬株式会社

日本化薬株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-095321
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273594
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】大気中で安定かつ実用的な半導体特性を有し、またアンバイポーラー特性を有する電界効果トランジスタを提供する事。【解決手段】絶縁体層4と、それにより隔離されたゲート電極5及びその絶縁体層4に接するように設けられたソース電極1とドレイン電極3を有するボトムコンタクト型構造の電極基板上に、正孔輸送型の半導体層2-1及び電子輸送型の半導体層2-2の少なくとも2層を含み、かつ該半導体層が少なくとも3層またはそれ以上積層されている事を特徴とする電界効果トランジスタ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁体層と、それにより隔離されたゲート電極及びその絶縁体層に接するように設けられたソース電極とドレイン電極を有するボトムコンタクト型構造の電極基板上に、正孔輸送型の半導体層及び電子輸送型の半導体層の少なくとも2層を含み、かつ該半導体層が少なくとも3層またはそれ以上積層されている事を特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A
Fターム (47件)：
5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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