電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-427436
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191077
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】大気中の水蒸気の存在に起因して特性が変化若しくは劣化することを抑制し得る構造を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、基体11上に形成されたゲート電極12、ゲート電極12上に形成されたゲート絶縁膜13、ゲート絶縁膜13上に形成されたソース/ドレイン電極14、及び、ソース/ドレイン電極14間であってゲート絶縁膜13上に形成された有機半導体材料層15から成るチャネル形成領域16を備えており、少なくともチャネル形成領域16の上には保護層が形成されており、この保護層は、少なくとも、吸湿性を有する層17、及び、耐湿性を有する層18の積層構造を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

(A)基体上に形成されたゲート電極、 (B)ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜、 (C)ゲート絶縁膜上に形成されたソース/ドレイン電極、及び、 (D)ソース/ドレイン電極間であって、ゲート絶縁膜上に形成された有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、を備えた電界効果型トランジスタであって、少なくともチャネル形成領域の上には保護層が形成されており、該保護層は、少なくとも、吸湿性を有する層、及び、耐湿性を有する層の積層構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L21/318 M , H01L21/363 , H01L29/78 619A , H01L29/28

Fターム (42件)：

5F058BA07 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BF14 , 5F058BF15 , 5F058BJ03 , 5F103AA01 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103HH10 , 5F103LL08 , 5F103NN01 , 5F103NN02 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

薄膜トランジスタ・デバイスの構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-076201 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-064964 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

審査官引用 (10件)

発光体、発光素子部、およびそれを用いた発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-051410 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-132917 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-104686 出願人：三洋電機株式会社

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